RK7002BT116 / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус TO236 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 250 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 2.4 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 3.2 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 3.2 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 2.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 15 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 58132 шт | — |
135,81
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C250 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)2.4 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min3.2 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max3.2 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min2.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора15 пФ
