RSJ400N10TL / Rohm Semi
Добавить к сравнению
MOSFET, N-CH, 100V, 40A, TO-263
Корпус TO263 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 40 А, Сопротивление открытого канала (мин) 27 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 30 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 30 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 90 нКл, Рассеиваемая мощность 1.35 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 3 600 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 13006 шт | — |
713,40
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса40 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)27 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min30 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max30 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора90 нКл
-
Рассеиваемая мощность1.35 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора3 600 пФ