RSQ045N03TR / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус SOT236 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 38 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 56 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 56 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 9.5 нКл, Рассеиваемая мощность 600 мВт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 520 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT236
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса4.5 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)38 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min56 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max56 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора9.5 нКл
-
Рассеиваемая мощность600 мВт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора520 пФ