RTL035N03TR / Rohm Semi
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 30V, 3.5A
Корпус TUMT6 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 56 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 79 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 79 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 2.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4.5 В, Максимальное напряжение затвора 12 В, Заряд затвора 6.4 нКл, Рассеиваемая мощность 1 Вт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 350 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 22543 шт | — |
152,54
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTUMT6
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса3.5 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)56 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min79 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max79 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min2.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max4.5 В
-
Максимальное напряжение затвора12 В
-
Заряд затвора6.4 нКл
-
Рассеиваемая мощность1 Вт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора350 пФ