RTR040N03TL / Rohm Semi
Добавить к сравнению
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 4A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Sou
Корпус SOT346T3 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 48 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 66 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 66 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 2.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4.5 В, Максимальное напряжение затвора 12 В, Заряд затвора 8.3 нКл, Рассеиваемая мощность 1 Вт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 475 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 3395 шт | — |
8,48
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT346T3
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса4 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)48 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min66 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max66 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min2.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max4.5 В
-
Максимальное напряжение затвора12 В
-
Заряд затвора8.3 нКл
-
Рассеиваемая мощность1 Вт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора475 пФ