SST2907AT116 / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 600 мВ, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 200 МГц, Коэффициент усиления по току, min 50 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 167009 шт | — |
55,54
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии600 мВ
-
Ток коллектора600 мА
-
Граничная рабочая частота200 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min50
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon