_500.jpeg "UMT1NTN")
UMT1NTN / Rohm Semi
Добавить к сравнению
PNP/PNP DUAL-TRANS. 50V UMT6
Корпус SC88 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 150 Вт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 150 мА, Граничная рабочая частота 140 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 609687 шт | — |
57,15
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSC88
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность150 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора150 мА
-
Граничная рабочая частота140 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min120
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon