UMT3906T106 / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус SOT323 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 200 мА, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 64819 шт | — |
49,77
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT323
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное40 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии300 мВ
-
Ток коллектора200 мА
-
Граничная рабочая частота250 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon