Корпус SOT363 , Тип проводимости и конфигурация NPN AND PNP , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 400 мВ, Ток коллектора 150 мА, Граничная рабочая частота 180 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 121240 шт | — |
23,47
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|