US6M2TR / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус TUMT6 , Тип проводимости и конфигурация N-CHANNEL AND P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 1 Вт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 152648 шт | — |
68,71
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTUMT6
-
Тип проводимости и конфигурацияN-CHANNEL AND P-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность1 Вт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET