US6X5TR / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 400 мВт, Напряжение КЭ максимальное 12 В, Ток коллектора 2 А, Граничная рабочая частота 360 МГц, Коэффициент усиления по току, min 270 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 11760 шт | — |
10,18
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность400 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное12 В
-
Ток коллектора2 А
-
Граничная рабочая частота360 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min270
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon