VT6T12T2R / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 31740 шт | — |
9,20
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота300 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min120
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon