VT6X11T2R / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 20 В, Ток коллектора 200 мА, Граничная рабочая частота 400 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 9570 шт | — |
59,13
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное20 В
-
Ток коллектора200 мА
-
Граничная рабочая частота400 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min120
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon