Корпус TO220AB , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1.5 В, Ток коллектора 2 А, Граничная рабочая частота 180 МГц, Коэффициент усиления по току, min 1000 , Примечание Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 64 шт | — |
145,83
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|