Корпус TO252 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 5 А, Граничная рабочая частота 180 МГц, Коэффициент усиления по току, min 35 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 2 шт | — |
155,56
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|