Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 400 мВт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 50 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon