Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 30 мА, Граничная рабочая частота 1.2 ГГц, Коэффициент усиления по току, min 20 , Примечание RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, PNP, TO-72
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.