3GBJ50K / SHIKUES
SHIKUES
Добавить к сравнению
Корпус —, Максимальное обратное напряжение диода 800 В, Прямое падение напряжения 1.1 В, Прямой ток диода (средн) 50 А, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 150 °C
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Максимальное обратное напряжение диода800 В
-
Прямое падение напряжения1.1 В
-
Прямой ток диода (средн)50 А
-
Рабочая температура-55 °C
-
Рабочая температура150 °C