Корпус MTO3P , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 150 Вт, Напряжение КЭ максимальное 800 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1 В, Ток коллектора 10 А, Граничная рабочая частота 8 МГц, Коэффициент усиления по току, min 8 , Примечание Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.