_500.jpeg "SGT50T65FD1PN")
SGT50T65FD1PN / SILAN
SILAN
хит
Добавить к сравнению
Мощный IGBT транзистор; 650 В; 50 А; 235 Вт; -55...150 °С; TO-3P
Корпус —, Напряжение К-Э максимальное 650 , Ток коллектора максимальный при 25°C 100 А, Напряжение насыщения К-Э 2.2 В, Время включения 45 нс, Время выключения 125 нс, Время восстановления диода 0 с, Максимальная мощность 235 Вт, Заряд затвора 146 нКл, Тип входа стандартный , Тип Trench Field Stop
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 14802 шт | — |
267,40
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Напряжение К-Э максимальное650
-
Ток коллектора максимальный при 25°C100 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.2 В
-
Время включения45 нс
-
Время выключения125 нс
-
Время восстановления диода0 с
-
Максимальная мощность235 Вт
-
Заряд затвора146 нКл
-
Тип входастандартный
-
ТипTrench Field Stop