2SA1386 / Sanken Electric
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, PNP, TO-3P
Transistor Type Bipolar
Transistor Polarity PNP
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 160V
Current Ic Continuous a Max 15A
Voltage, Vce Sat Max 2V
Power Dissipation 130W
Min Hfe 50
ft, Typ 40MHz
Case Style TO-3P
Termination Type Through Hole
Current Ib 4A
Current Ic Max 15A
Current Ic av 15A
Current Ic hFE 5A
Device Marking 2SA1386
No. of Pins 3
Power, Ptot 130W
Temperature, Full Power Rating 25°C
Temperature, Tj Max 150°C
Transistors, No. of 1
Voltage, Vcbo 160V
Корпус TO3P , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 130 Вт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 15 А, Граничная рабочая частота 40 МГц, Коэффициент усиления по току, min 50 , Примечание Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 711 шт | — |
715,45
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO3P
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность130 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное160 В
-
Ток коллектора15 А
-
Граничная рабочая частота40 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min50
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 15A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
