Корпус TO3P , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 100 Вт, Напряжение КЭ максимальное 150 В, Ток коллектора 10 А, Граничная рабочая частота 55 МГц, Коэффициент усиления по току, min 5000 , Примечание Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 1182 шт | — |
178,15
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|