SK20GH123 / Semikron
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT MODULE, H BRIDGE, 1200V; Transistor Type:IGBT Module; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:23A; Voltage, Vce Sat Max:3V; Case Style:SEMITOP 2; Termination Type:Screw; Centres, Fixing:38mm; Current, Ic Continuous b Max:15A; Current, Ic av:23A; Current, Icm Pulsed:46A; Depth, External:28mm; Diameter, Fixing Hole:2mm; Marking, SMD:SEMITOP2; Power, Pd:1400W; Temperature, Current:25°C; Time, Rise:45ns; Transistors, No. of:4; Voltage, Vceo:1200V; Width, External:40.5mm; Voltage:1200V
Внутренняя схема GH-F , Кол-во ключей в модуле 4 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 15 А, Технология кристалла NPT IGBT (Standard) , Корпус —
Характеристики
-
Внутренняя схемаGH-F
-
Кол-во ключей в модуле4
-
Напряжение К-Э1.2 кВ
-
Рабочий ток при 25°C15 А
-
Технология кристаллаNPT IGBT (Standard)
-
Корпус—