Технические характеристики:
Внутренняя схема: GB
Кол-во ключей в модуле: 2
Напряжение К-Э: 1.2 кВ
Рабочий ток при 25°C: 300 А
Технология кристалла: IGBT 4(Trench)
Корпус: SEMITRANS3
Внутренняя схема GB , Кол-во ключей в модуле 2 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 300 А, Технология кристалла IGBT 4 (Trench) , Корпус —
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.