SKM400GB126D / Semikron
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT MODULE, DUAL, 1200V
Transistor Type IGBT Module
Transistor Polarity N Channel
Voltage, Vces 1200V
Current Ic Continuous a Max 260A
Voltage, Vce Sat Max 1.2V
Case Style SEMITRANS 3
Termination Type Screw
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 1200V
Current Ic Continuous b Max 190A
Current Ic av 260A
Current, Icm Pulsed 200A
External Depth 61.4mm
Fixing Centres 93mm
Fixing Hole Diameter 5.4mm
SMD Marking SEMITRANS 3
Temperature, Current 25°C
Time, Rise 40ns
Transistors, No. of 2
Width, External 105mm
Voltage 1200V
Внутренняя схема GB , Кол-во ключей в модуле 2 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 300 А, Технология кристалла IGBT 3 (Trench) , Корпус —
Предлагаем замену
Характеристики
-
Внутренняя схемаGB
-
Кол-во ключей в модуле2
-
Напряжение К-Э1.2 кВ
-
Рабочий ток при 25°C300 А
-
Технология кристаллаIGBT 3 (Trench)
-
Корпус—