SKM400GB12T4 / Semikron
Не поставляется
Добавить к сравнению
Быстрый силовой IGBT модуль 4-го поколения; полумост; 616 А; 1200 В
Характеристики:
- Схема: полумост;
- Напряжение: 1200 В;
- Номинальный ток: 400 А;
- Технология кристалла: IGBT 4 Fast (Trench);
- Количество ключей в модуле: 2;
- Корпус: SEMITRANS 3;
- Размеры: 106x62x31 мм
Внутренняя схема GB , Кол-во ключей в модуле 2 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 400 А, Технология кристалла IGBT 4 Fast (Trench) , Корпус —
Характеристики
-
Внутренняя схемаGB
-
Кол-во ключей в модуле2
-
Напряжение К-Э1.2 кВ
-
Рабочий ток при 25°C400 А
-
Технология кристаллаIGBT 4 Fast (Trench)
-
Корпус—