IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 2]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 50 А; Технология: IGBT 4 Fast (Trench); Ключей: 2
Внутренняя схема GB , Кол-во ключей в модуле 2 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 50 А, Технология кристалла IGBT 4 Fast (Trench) , Корпус —
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.