2N1039 / Solitron Devices Inc.
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 3 А, Коэффициент усиления по току, min 20 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-5
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность20 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное40 В
-
Ток коллектора3 А
-
Коэффициент усиления по току, min20
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-5