Корпус TO18 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 1.8 Вт, Напряжение КЭ максимальное 75 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1 В, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18