2N5195 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Биполярный транзистор - [SOT32]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 1.2 В; IК(макс): 4 А; Pрасс: 40 Вт; Fгран: 2 МГц
Корпус TO126 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 40 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1.2 В, Ток коллектора 4 А, Граничная рабочая частота 2 МГц, Коэффициент усиления по току, min 7 , Коэффициент усиления по току, max 80 , Примечание Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO126
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность40 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1.2 В
-
Ток коллектора4 А
-
Граничная рабочая частота2 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min7
-
Коэффициент усиления по току, max80
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin