2N7002 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 200 мА; Rси(вкл): 5 Ом; @Uзатв(ном): 3...6 В; Qзатв: 1.4 нКл
Корпус SOT23 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 200 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 5 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 2 нКл, Рассеиваемая мощность 350 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 43 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C200 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max5 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора2 нКл
-
Рассеиваемая мощность350 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора43 пФ