BD139-10 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Биполярный транзистор - [SOT32]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 500 мВ; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: 25...250
Корпус TO126 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Комплементарная пара BD140 , Рассеиваемая мощность 12.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 1.5 А, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 63 , Коэффициент усиления по току, max 160 , Примечание Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO126
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Комплементарная параBD140
-
Рассеиваемая мощность12.5 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора1.5 А
-
Граничная рабочая частота250 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min63
-
Коэффициент усиления по току, max160
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
