BD236 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO126 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 25 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 600 мВ, Ток коллектора 2 А, Граничная рабочая частота 3 МГц, Коэффициент усиления по току, min 25 , Примечание Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO126
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность25 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии600 мВ
-
Ток коллектора2 А
-
Граничная рабочая частота3 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min25
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin