BD682 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Транзистор биполярный
Корпус TO225 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 40 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 2.5 В, Ток коллектора 4 А, Граничная рабочая частота 10 МГц, Коэффициент усиления по току, min 750 , Примечание Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO225
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность40 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное100 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии2.5 В
-
Ток коллектора4 А
-
Граничная рабочая частота10 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min750
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
