BD911 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, NPN, TO-220; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:15A; Voltage, Vce Sat Max:1V; Power Dissipation:90W; Hfe, Min:40; ft, Typ:3MHz; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Application Code:GP; Case Style, Alternate:SOT-78B; Current, Ic @ Vce Sat:5A; Current, Ic Max:15A; Current, Ic hFE:0.5A; Device Marking:BD911; Hfe, Max:250; Hfe, Typ:40; Pins, No. of:3; Power, Ptot:90W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vcbo:100V
Корпус TO220AB , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 90 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 3 В, Ток коллектора 15 А, Граничная рабочая частота 3 МГц, Коэффициент усиления по току, min 150 , Примечание Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность90 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное100 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии3 В
-
Ток коллектора15 А
-
Граничная рабочая частота3 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min150
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 15A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin