BD912 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, PNP, TO-220
Transistor Type Bipolar
Transistor Polarity PNP
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 100V
Current Ic Continuous a Max 15A
Voltage, Vce Sat Max 1V
Power Dissipation 90W
Min Hfe 40
ft, Typ 3MHz
Case Style TO-220
Termination Type Through Hole
Application Code GP
Current Ic @ Vce Sat 5A
Current Ic Max 15A
Current Ic hFE 0.5A
Device Marking BD912
Max Hfe 250
No. of Pins 3
Power, Ptot 90W
Temperature, Full Power Rating 25°C
Transistors, No. of 1
Voltage, Vcbo 100V
ft, Min 3MHz
Корпус TO220AB , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 90 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 3 В, Ток коллектора 15 А, Граничная рабочая частота 3 МГц, Коэффициент усиления по току, min 150 , Примечание Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность90 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное100 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии3 В
-
Ток коллектора15 А
-
Граничная рабочая частота3 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min150
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 15A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin