BUL59 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Биполярный транзистор - [TO-200AB]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 400 В; IК(макс): 8 А; Pрасс: 90 Вт; h21: от 4
Корпус TO220AB , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 90 Вт, Напряжение КЭ максимальное 400 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1.5 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 4 , Примечание Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность90 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное400 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1.5 В
-
Ток коллектора8 А
-
Коэффициент усиления по току, min4
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin