BUV20 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, NPN, TO-3
Transistor Type Bipolar
Transistor Polarity NPN
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 125V
Current Ic Continuous a Max 50A
Min Hfe 20
ft, Typ 8MHz
Case Style TO-3
Termination Type Through Hole
Current Ic Max 50A
Current Ic hFE 25A
Device Marking BUV20
No. of Pins 2
Power, Ptot 250W
Temperature, Full Power Rating 25°C
Transistors, No. of 1
Voltage, Vcbo 160V
ft, Min 8MHz
Корпус TO204AA , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 250 Вт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1.2 В, Ток коллектора 50 А, Граничная рабочая частота 8 МГц, Коэффициент усиления по току, min 10 , Коэффициент усиления по току, max 60
Характеристики
-
КорпусTO204AA
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность250 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное160 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1.2 В
-
Ток коллектора50 А
-
Граничная рабочая частота8 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min10
-
Коэффициент усиления по току, max60