ESDALC6V1-1U2 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Защитная ИС - [DFN2]; Линий: 1; Uпорог: 6.1 В; Iутеч: 0.1 мкА; Cпараз: 12 нФ; Примечание: Single-line low capacitance Transil for ESD protection; Траб: -40...125 °C
Корпус DFN2 , Кол-во защищаемых линий (каналов) 1 , Пороговое напряжение 6.1 В, Ток утечки 0.1 мкА, Паразитная емкость линии 12 нФ, Примечание Single-line low capacitance Transil for ESD protection , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 125 °C
Характеристики
-
КорпусDFN2
-
Кол-во защищаемых линий (каналов)1
-
Пороговое напряжение6.1 В
-
Ток утечки0.1 мкА
-
Паразитная емкость линии12 нФ
-
ПримечаниеSingle-line low capacitance Transil for ESD protection
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура125 °C