HSP061-4NY8 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Защитная ИС - [DFN8]; Линий: 4; Uпорог: 6 В; Iутеч: 0.1 мкА; Cпараз: 0.6 нФ; Примечание: 4-line ESD protection for high speed lines; Траб: -40...150 °C
Корпус DFN8 , Кол-во защищаемых линий (каналов) 4 , Пороговое напряжение 6 В, Ток утечки 0.1 мкА, Паразитная емкость линии 0.6 нФ, Примечание 4-line ESD protection for high speed lines , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 150 °C
Характеристики
-
КорпусDFN8
-
Кол-во защищаемых линий (каналов)4
-
Пороговое напряжение6 В
-
Ток утечки0.1 мкА
-
Паразитная емкость линии0.6 нФ
-
Примечание4-line ESD protection for high speed lines
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура150 °C