L6384ED / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Драйверы FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; Опции: Вход сброса
Корпус SOIC8 , Кол-во нижних каналов 1 , Кол-во верхних каналов 1 , Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 400 мА, Максимальный выходной ток спада 650 мА, Опции Вход сброса , Рабочая температура -45 °C, Рабочая температура 125 °C, Примечание Полумост - один вход
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Кол-во нижних каналов1
-
Кол-во верхних каналов1
-
Максимальное напряжение смещения600 В
-
Максимальный выходной ток нарастания400 мА
-
Максимальный выходной ток спада650 мА
-
ОпцииВход сброса
-
Рабочая температура-45 °C
-
Рабочая температура125 °C
-
ПримечаниеПолумост - один вход