L6388ED013TR / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Драйверы FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; Траб: -45...125 °C
Корпус SOIC8 , Кол-во нижних каналов 1 , Кол-во верхних каналов 1 , Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 400 мА, Максимальный выходной ток спада 650 мА, Опции Half Bridge Based MOSFET Driver, 0.65A, BCD, PDSO8 , Рабочая температура -45 °C, Рабочая температура 125 °C, Примечание Half Bridge Based MOSFET Driver, 0.65A, BCD, PDSO8
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Кол-во нижних каналов1
-
Кол-во верхних каналов1
-
Максимальное напряжение смещения600 В
-
Максимальный выходной ток нарастания400 мА
-
Максимальный выходной ток спада650 мА
-
ОпцииHalf Bridge Based MOSFET Driver, 0.65A, BCD, PDSO8
-
Рабочая температура-45 °C
-
Рабочая температура125 °C
-
ПримечаниеHalf Bridge Based MOSFET Driver, 0.65A, BCD, PDSO8