L6392D / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Драйверы FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 290 мА; Iout-: 430 мА; Опции: Вход сброса
Корпус SOIC14 , Кол-во нижних каналов 1 , Кол-во верхних каналов 1 , Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 290 мА, Максимальный выходной ток спада 430 мА, Опции Вход сброса , Рабочая температура -45 °C, Рабочая температура 125 °C, Примечание Half Bridge Based MOSFET Driver, 0.43A, BCD, PDSO14
Характеристики
-
КорпусSOIC14
-
Кол-во нижних каналов1
-
Кол-во верхних каналов1
-
Максимальное напряжение смещения600 В
-
Максимальный выходной ток нарастания290 мА
-
Максимальный выходной ток спада430 мА
-
ОпцииВход сброса
-
Рабочая температура-45 °C
-
Рабочая температура125 °C
-
ПримечаниеHalf Bridge Based MOSFET Driver, 0.43A, BCD, PDSO14