M24LR04E-RMN6T/2 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Энергонезависимая память - [SO8N]; Тип: EEPROM; Интерфейс: I2C; Объём: 4 кбит; Организация: 512 x 8; Скорость: 400kHz; Напряжение: 1.8...5.5 В
Корпус SOIC8 , Тип памяти EEPROM , Подтип памяти EEPROM , Интерфейс I2C , Объём памяти 4 кбит, Организация памяти 512 x 8 , Напряжение питания, min 1.8 В, Напряжение питания, max 5.5 В, Особенности Радиоинтерфейс 13,56 МГц (ISO 15693); Питание от энергии радиоволн. , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 85 °C
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Тип памятиEEPROM
-
Подтип памятиEEPROM
-
ИнтерфейсI2C
-
Объём памяти4 кбит
-
Организация памяти512 x 8
-
Напряжение питания, min1.8 В
-
Напряжение питания, max5.5 В
-
ОсобенностиРадиоинтерфейс 13,56 МГц (ISO 15693); Питание от энергии радиоволн.
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура85 °C