M93C76-WMN6TP / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9]; Тип: EEPROM; Интерфейс: Microwire; Объём: 8 кбит; Организация: 1Kx8 or 512x16; Скорость: 2MHz; Напряжение: 2.5...5.5 В
Корпус SOIC8 , Тип памяти EEPROM , Подтип памяти EEPROM , Интерфейс Microwire , Объём памяти 8 кбит, Организация памяти 1K x 8, 512 x 16 , Напряжение питания, min 2.5 В, Напряжение питания, max 5.5 В, Особенности 4 миллиона циклов перезаписи , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 85 °C, Время доступа 500 нс
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Тип памятиEEPROM
-
Подтип памятиEEPROM
-
ИнтерфейсMicrowire
-
Объём памяти8 кбит
-
Организация памяти1K x 8, 512 x 16
-
Напряжение питания, min2.5 В
-
Напряжение питания, max5.5 В
-
Особенности4 миллиона циклов перезаписи
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура85 °C
-
Время доступа500 нс