MD2001FX / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 58 Вт, Напряжение КЭ максимальное 700 В, Ток коллектора 12 А, Коэффициент усиления по току, min 4.5 , Примечание Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность58 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное700 В
-
Ток коллектора12 А
-
Коэффициент усиления по току, min4.5
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 12A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin