PD55003S / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
RF транзистор - [PowerSO-10RF]; Тип: RF Power LDMOS, N-channel; Частота: 500 МГц; Мощность: 3 Вт; Усиление: 17 дБ; Ucc: 12.5 В; КПД: 55 %
Корпус POWERSO10 , Тип транзистора RF Power LDMOS, N-channel , Рабочая частота (ном) 500 МГц, Выходная мощность (ном) 3 Вт, Коэффициент усиления (мин) 17 дБ, Напряжение питания (ном) 12.5 В, Эффективность (ном) 55 %, Тепловое сопротивление (кристалл-корпус) (макс) 3 °C/Вт
Характеристики
-
КорпусPOWERSO10
-
Тип транзистораRF Power LDMOS, N-channel
-
Рабочая частота (ном)500 МГц
-
Выходная мощность (ном)3 Вт
-
Коэффициент усиления (мин)17 дБ
-
Напряжение питания (ном)12.5 В
-
Эффективность (ном)55 %
-
Тепловое сопротивление (кристалл-корпус) (макс)3 °C/Вт