 
    Корпус POWERSO10RF , Тип транзистора RF Power LDMOS, N-channel , Рабочая частота (ном) 500 МГц, Выходная мощность (ном) 25 Вт, Коэффициент усиления (мин) 14.5 дБ, Напряжение питания (ном) 12.5 В, Эффективность (ном) 58 %, Тепловое сопротивление (кристалл-корпус) (макс) 1.2 °C/Вт