PD57006-E / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, RF, 6W, 945MHZ
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 28V
Current, Id Cont 1A
Voltage, Vgs th Typ 5V
Case Style PowerSO-10RF
Termination Type SMD
Power, Pd 20W
Temperature, Full Power Rating 70°C
Voltage, Vds Max 65V
Корпус POWERSO10RF , Тип транзистора RF Power LDMOS, N-channel , Рабочая частота (ном) 1 ГГц, Выходная мощность (ном) 6 Вт, Коэффициент усиления (мин) 15 дБ, Напряжение питания (ном) 28 В, Эффективность (ном) 60 %, Тепловое сопротивление (кристалл-корпус) (макс) 5 °C/Вт
Характеристики
-
КорпусPOWERSO10RF
-
Тип транзистораRF Power LDMOS, N-channel
-
Рабочая частота (ном)1 ГГц
-
Выходная мощность (ном)6 Вт
-
Коэффициент усиления (мин)15 дБ
-
Напряжение питания (ном)28 В
-
Эффективность (ном)60 %
-
Тепловое сопротивление (кристалл-корпус) (макс)5 °C/Вт