 
    Корпус POWERSO10 , Тип транзистора RF Power LDMOS, N-channel , Рабочая частота (ном) 870 МГц, Выходная мощность (ном) 10 Вт, Коэффициент усиления (мин) 14.3 дБ, Напряжение питания (ном) 7.5 В, Эффективность (ном) 73 %, Тепловое сопротивление (кристалл-корпус) (макс) 1 °C/Вт